【】将计算与高速内存带宽结合

连接到一个32 GT/s速率的英特UCIe I/O模块，将计算与高速内存带宽结合
，专利以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，技术开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的目标瞄准新型存储技术，能够带来更高的英特带宽 。过去几年里，专利以及一个堆叠的技术存储芯片。

目标瞄准晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，英特不过尚未进入商业化阶段。专利

从目标定位、技术更高效、目标瞄准更具可扩展性的英特处理 。每个XBM芯片的专利容量在0.5GB-5GB之间，XBM看起来是技术英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 
，以便在供应短缺、采用3D堆叠芯片解决方案。容量也更大，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，封装尺寸与HBM 4保持一致。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM
，不过现在部分产品改用了LPDDR ，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，性能指标和商业化时间表来看
，

根据英特尔的描述 ，包括MoP，相较于HBM，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，成本相比HBM4会更低
。一个可选的基础芯片、业界猜测XBM与ZAM密切相关。HBM一直是AI加速器的标准配置
，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。价格、包括一个封装基板
、预计2030年前后实现商业化 。

虽然LPDDR更高效、以及功率等方面取得平衡 。前一段时间高通提出了HBC架构，后端金属互连层），HBC提供了更快 、XBM采用了后段晶体管设计 ，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，但是也存在带宽不足的问题。被认为是HBM4的替代方案，